FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体

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FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体

FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体

FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体分立IGBT （V系列）600V， 30A， FWD 25A特征沟槽栅、场截止IGBT低开关损耗支持高频 （ 〜100kHz）用途设计规范结构有二极管系列V系列（第6代）VCES（五）细节600我C（A）细节30…

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Product Detail

FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体

FUJI Electric富士电机 FGW30N60VD 功率半导体

分立IGBT （V系列）
600V， 30A， FWD 25A

特征

  • 沟槽栅、场截止IGBT

  • 低开关损耗

  • 支持高频 （ 〜100kHz）

用途

设计规范

结构有二极管
系列V系列（第6代）
VCES（五）细节600
我C（A）细节30
VCE（SAT）（五）细节1.6
VF（五）细节1.5
我F（A）细节25
QG（不在）细节225
TVJ最大（°C）细节-40 〜 175
封装TO-247（B型）

文档工具

应用手册分立IGBT应用手册
技术资料分立IGBT通用技术资料
CAD数据产品外形图 （3D-CAD）
选型手册IGBT/SiC选型手册
损耗模拟损耗模拟软件