FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体

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FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体

FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体

FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体CDリートRB-IGBT600V，85A特征利用富士电机的独创技术，在1个芯片上实现了具有逆电压特性的IGBT适用于三电平变频器（T型），实现高效化用途UPS太阳能设计规范结构ー系列分立RB-I…

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FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体

FUJI Electric富士电机 FGW85N60RB 功率半导体

CDリートRB-IGBT
600V，85A

特征

  • 利用富士电机的独创技术，在1个芯片上实现了具有逆电压特性的IGBT

  • 适用于三电平变频器（T型），实现高效化

用途

  • UPS

  • 太阳能

设计规范

结构ー
系列分立RB-IGBT
VCES（五）细节600
我C（A）细节85
VCE（SAT）（五）细节2.45
VF（五）细节-
我F（A）细节-
QG（不在）细节300
TVJ最大（°C）细节-40 〜 150
封装TO-247（B型）

文档工具

数据表FGW85N60RB
应用手册分立IGBT应用手册
技术资料分立IGBT通用技术资料
CAD数据产品外形图 （3D-CAD）
选型手册IGBT/SiC选型手册
损耗模拟损耗模拟软件